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特點 規格 量測 厚度, 反射率, 吸收率, 表面結構 量測波長 632.8 nm(He-Ne 雷射) 量測時間 100 ms~2 s 量測厚度 2 nm~6000 nm 樣品平臺 200 mm (自動 Rho/Theta) 反射角檢測 自動 / 手動 角度 45° – 90° / 12° – 90° 變化角度 5° / 1° 重複性 0.01° 準確度 Psi:0.002°
Delta:0.002°厚度精確度 0.01nm( 80nm Si3N4 on Si)