X-ray螢光-XRF 桌上型XRF全新改版升級EA系列

自去年Seiko正式與Hitachi合併後，日本日立Hitachi就積極研發有關新機台的設計與配套軟體，於2013年底正式發售，並將其命名為EA系列XRF；新的儀器分為EA1000AIII及EA1000VX。EA1000AIII是升級版，而EA1000VX則是完全升級旗艦版，同時也沿用舊有的VX型號名稱(Vortex Detector)，在軟體與硬體方面Hitachi做了一些與以往不同的突破，同時在配件與標準品的方面也不斷的改進，以求達到更多元與更專業的應用需求。

EA系列XRF在硬體架構上改變了光管的照射位置，由原本的斜角照射(如下圖左)改為垂直的照射方式(如下圖右)。為什麼要由斜角改為垂直的照射?原因是X-Ray在照射時越是中心點的能量越強，改為垂直照射會將X-Ray的正中心點對準樣品照射，這樣出來的螢光訊號也會更多，同樣的低濃度的檢測也會相對容易許多。
除了光管照射的方式改變之外對於檢測器也有所提升，檢測器是收集訊號的部件；除傳統的矽半導體檢測器(Si-PIN) 外，目前新一代的矽飄移檢測器(SDD)都是目前是檢測市場上比較普遍看到的檢測器，EA系列中的EA1000AIII搭載的是改良後的Si-PIN檢測器，相較于傳統的Si-PIN檢測器，有較好的訊號接收能力，同一時間可接收的CPS值遠高於EA1000AII；在相同的樣品以及測試條件中，僅改變檢測器的差異狀況下，EA1000AIII的訊號強度明顯優於SEA1000AII，所以在檢測下限(LOD)的表現上， EA1000AIII確實是比較能夠分析更低濃度的元素，其實際測試結果如下：

同樣的EA1000VX搭載的是更高階的矽飄移檢測器(Silicon Drift Detector，簡稱SDD)，SDD有一個類似訊號加強的功能，所以可以將原本微弱的訊號進行放大，對於一些微量的測試需求基本上是可以直接進行量測，訊號強度達到15倍之多，同時能夠檢測的元素範圍也比原本的Si-PIN更多。實際測試的結果如下圖：

綜合光管的照射位置加上檢測器的改變，在過去的概念中，光束的照射面積越大訊號強度理論上會越高；但在最新的測試中發現，當照射改為垂直照射並搭配新的SDD檢測器，可以將這個差異有效的消除，實際測試結果如下圖：

綜合以上硬體的改變，EA系列的桌上型XRF確實改善了許多以往客戶提出來的問題與解決方案，不管是在光管的重新設計還是到檢測器的性能提升，都顯示出Hitachi的改變與決心，希望能夠從微小的差異中去改變，每一個小的細節都是科邁斯與Hitachi所重視的。
 

2014 Hitachi EA系列 XRF 產品系列
EA1000AIII	EA1000VX	EA1200VX