- 技術 -
23.Jun.2012
蝕刻液中的混酸比例會影響蝕刻效果
蝕刻是一種在Wafer、半導體、PCB等製程中常見的一種程序，主要是要透過物理或是化學的方式將表面材料移除以達到設計上的需求，蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『乾蝕刻』(dry etching)兩類。在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的複合作用。
而濕法化學蝕刻乃利用液體化學物質與基質表面的特定材料反應溶出，此程序廣泛的應用於一般的蝕刻製程中。最常使用的侵蝕液，如下：
1.硝酸(HNO3)。
2.氫氟酸(HF)的水溶液。
3.醋酸(CH3COOH)溶液。
1.硝酸(HNO3)。
2.氫氟酸(HF)的水溶液。
3.醋酸(CH3COOH)溶液。
另外一般濕式製程中的蝕刻及清洗則使用大量的酸鹼溶液，基本上有氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、鹽酸(HCIl及氨(NH3)等，使用時大都形成混合液(buffer solution)。
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